LAZIN LODAS-AI50/100/200 Photomask Blanks 缺陷检查装置 特点
半导体用于Photomask原板、Blanks的出厂检查、工艺评价；
用微分干涉显微镜分析缺陷；
检查对象Photomask Substrate、Cr、Resist、MoSi；
检查项目颗粒、内部缺陷（Option）。
● 掩膜尺寸: 6"（6025）；
● 检查灵敏度: PDM缺陷尺寸0.25um/0.10μm/0.08um；
