JEOL JBX-3200MVS 电子束光刻系统 特点
用于制作28nm～22/20nm节点的掩模版的可变矩形电子束光刻系统。
具有先进的技术实现了高速、高精度和高可靠性。
基于加速电压50 kV的可变矩形电子束和步进重复式的光刻系统。
利用步进重复式曝光的优点，结合曝光剂量调整功能及重叠曝光等功能，能支持下一代掩模版图形制作所需要的多种补偿。
● 掩膜尺寸: 6"（6025） ；
● 电流密度: 70A/cm² ；
● 加速电压: 50kv ；
● 拼接精度: ≦ ±3.5 nm ；
● 套刻精度: ≦ ±5.0 nm ；
